TPS7H1101-SP（超低压降稳压器） 是一款采用 PMOS 导通元件配置的耐辐射 LDO 线性稳压器。此器件可在 1.5V 至 7V 的宽输入电压范围内运行，同时提供出色的 PSRR。


TPS7H1101-SP（超低压降稳压器） 通过 极宽的调节范围实现了精确的可编程折返电流限值功能。为了满足 FPGA、DSP 或微控制器的复杂电源要求，TPS7H1101-SP 提供使能导通和关断功能、可编程软启动、电流共享功能以及电源正常开漏输出。


TPS7H1101-SP（超低压降稳压器） 采用 16 引脚耐热增强型陶瓷扁平封装 (CFP

耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad (Si) TID
总电离剂量为 100krad (Si)
无低剂量率辐射损伤增强 (ELDRS) 100krad (Si)
剂量率达 10mRAD (si)/s
单粒子锁定 (SEL) 对于
LET 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg
SEB 和 SEGR 对于 
LET 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg
SET/SEFI 启动阈值大于 40MeV-cm2/mg，
专为降低干扰而设计，以避免损坏重要的下行组件

超低输入电压范围：1.5V 至 7V
3A 最大输出电流
电流共享/并联工作可提供最高可达 6A 的输出电流
与陶瓷输出电容一起工作时保持稳定
线路、负载和温度范围内的精度为 ±2%
通过外部电容实现可编程软启动
用于电源排序的输入使能和电源正常输出
超低压降 LDO 电压：
1A (25°C)、VOUT = 1.8V 时为 62mV
低噪声：
VIN = 2V、VOUT = 1.8V、电流为 3A 时为 20.33 μVRMS
电源抑制比 (PSRR)：1kHz 频率下超过 45dB
出色的负载/线路瞬态响应
折返电流限制

耐热增强型 CFP 封装 (0.6°C/W RθJC)

所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的 LDO(低压降)稳压器通常使用功率晶体管(也称为传递设备)作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右;与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。


更新的发展使用 CMOS 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。使用 CMOS，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。


（ 超低压降稳压器）